サンテスト株式会社

三菱電機㈱殿 MELSECビルトイン ユニット

三菱電機㈱殿 MELSECビルトイン ユニット
HS-R-G

本ユニットは、三菱電機製シーケンサMELSEC iQ-R シリーズ用の油圧/空圧位置決めサーボ
および 磁歪式センサ変換器ユニットです。
1 軸の油圧/空圧位置決めサーボ、センサ位置の取り込み、荷重切り替え制御が行え、油圧/空圧
シリンダを利用して高精度な位置制御、荷重制御を簡単に構成することができます。
位置決め指令、現在値、現在出力などはバッファメモリを介してシーケンサCPU とデータ交換
できます。

【特長】
 ① 対応PLC:MELSEC iQ-Rシリーズ用のインテリジェントI/Oユニットとして、iQ-Rバスに
    接続できます。本製品は、MELSEC-Q シリーズ用 DS-Q の後継機となります。

 ② 高速サーボ演算:本ユニット内に搭載されたDSP によりサーボ演算が行われますので、
    CPU スキャンタイムに関係なく0.2msec サンプリングでの高速サーボ演算が可能です。

 ③ 位置決めモーションプログラム機能:
    ユニット内に1 軸のモーションプログラム機能を搭載し、指令プロファイルを予め
    プログラムすることができます。

 ④ 関数発生機能(新機能):
    ユニット内に関数発生機能を搭載しており、油圧シリンダの位置/荷重を正弦波や
    三角波加振させることができます。

 ⑤ 1 チャンネル磁歪センサユニット内蔵:
    サーボ位置フィードバック信号として磁歪式変位センサを利用しつつ、最高1μm の 
    分解能で高精度位置決めシステムを構成することができます。
    また、センサ位置に比例したデータをシーケンサCPU から読み込むことができます。
    適合磁歪式位置センサ: GYcRS/ GYFRS/ GYMR6/ GYKMR/ GYcRP/ GYSE-R

 ⑥ 2 チャンネルアナログ電圧/電流入力:
    アナログ電圧/電流入力を2 チャンネル搭載。
    ロードセルや圧力センサを利用してのに制御にも対応します。
    入力された電圧/電流に比例したデータをシーケンサCPU から読み込むことができます。

 ⑦ 外部フィードバック信号入力:
    他のユニットから得られたデータを、バッファメモリを介してサーボ軸にフィードバック
    信号として与えることが可能です。

 ⑧ 制御軸切り替え機能
    SSI センサ/アナログ/外部フィードバック信号の中から、2 つの制御軸をお選びいただき、
    
Y 出力によって制御を切り替えることができます。

 
アラーム検出機能(下記のアラームを検知します。)
    ・センサ上下限リミット
    ・サーボ偏差アラーム
   
 ・サーボ発振アラーム
    ・
パラメータ設定値範囲アラーム

 ⑩
自己診断機能(下記の異常を検知します。)
    ・内部ハードウェア異常
    ・センサ未接続(断線)
    ・センサマグネット異常
    ・センサデータ保存異常
    ・外部電源喪失異常

  HS-R-Gx用 プロファイルデータ(日本語版)
  HS-R-Gx用 プロファイルデータ(英語版)
 



HS-R-G写真

こんな方にオススメです

  • サーボ位置のフィードバック信号を、磁歪式変位センサを利用したい方
  • MELSEC iQ-R をお使いの方で、省配線をお考えの方
  • 特長・機能
  • 仕様
  • 同カテゴリ製品との比較

製品の特長

三菱電機㈱殿製シーケンサ MELSEC iQ-R にビルトイン

MELSEC iQ-R シリーズ用の油圧/空圧位置決めサーボ および 磁歪式センサ変換器ユニットです。

油空圧サーボ位置決め/荷重制御

HS-R を利用した油空圧サーボ位置決め/荷重制御は、フィードバック信号は、
すべてHS-Rへと直接入力することができますので、省配線省スペースで高速な
制御を行えます。
また、すべてアブソリュートセンサで構成されますので、電源起動時の
原点出し操作は不要です。

性能

仕様

サーボ出力軸数 1軸(内部2軸) サーボ演算サイクル 0.2msec
サーボ出力 電圧出力設定時:電圧(±10V 最大)
 (外部負荷抵抗 1kΩ以上)
電流出力設定時:電流(±50mA 最大)
 外部負荷抵抗 50Ω Max.@50mA *
サーボ機能
 (出力分解能)
-30000~30000(フルスケールに対して)
磁歪センサ 接続数 1軸 磁歪センサ適合 G1:GYcRS/ GYFRS/ GYMR6 /GYKMR
G2: GYcRP
G4: GYSE-R
  (その他の接続についてはお問い合わせください)
位置検出方式 アブソリュート磁歪方式 最高分解能 G1/ G4:0.001mm
G2:0.01mm
最大ケーブル長 G1/ G2/ G4:200m サンプリング周期 センサプローブのストロークに依存
  1~1000mm:1msec *
アナログ入力信号 電圧入力設定時:電圧(±10V)
電流入力設定時:電流(±20mA)(240Ω終端)
アナログ入力 分解能 -30000~30000(フルスケールに対して)
アナログ入出力電源 DC24V(±10%)2.5W最大 極性保護有 I/O 占有点数 32点
使用温度範囲 0~55℃ 保存温度範囲 -25~75℃

 *:詳細については、取扱説明書を参照ください。

型式

①適合磁歪式位置センサ
  G1:GYcRS/ GYFRS/ GYMR6/ GYKMR
  G2:GYcRP
  G4:GYSE-R

外形寸法図

外形寸法図   センサコネクタ(丸形コネクタ)   アナログコネクタ端子配列表  
拡大する 拡大する 拡大する

三菱電機㈱殿 MELSECビルトイン ユニット

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HS-R-G

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MELSEC ビルトイン ユニット

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HS-R-E

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HS-R-F

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DC-R-F

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DC-R-G

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DS-Q シリーズ

JCC(製造元:サンテスト)

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