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HS-R-G三菱電機㈱殿 MELSECビルトイン ユニット
サーボコントローラ
三菱電機㈱殿 MELSECビルトイン ユニット
HS-R-G
本ユニットは、三菱電機製シーケンサMELSEC iQ-R シリーズ用の油圧/空圧位置決めサーボおよび 磁歪式センサ変換器ユニットです。
1 軸の油圧/空圧位置決めサーボ、センサ位置の取り込み、荷重切り替え制御が行え、油圧/空圧シリンダを利用して高精度な位置制御、荷重制御を簡単に構成することができます。
位置決め指令、現在値、現在出力などはバッファメモリを介してシーケンサCPU とデータ交換できます。
【特長】
① 対応PLC：MELSEC iQ-Rシリーズ用のインテリジェントI/Oユニットとして、iQ-Rバスに
接続できます。本製品は、MELSEC-Q シリーズ用 DS-Q の後継機となります。
② 高速サーボ演算：本ユニット内に搭載されたDSP によりサーボ演算が行われますので、
CPU スキャンタイムに関係なく0.2msec サンプリングでの高速サーボ演算が可能です。
③ 位置決めモーションプログラム機能：
ユニット内に1 軸のモーションプログラム機能を搭載し、指令プロファイルを予め
プログラムすることができます。
④ 関数発生機能（新機能）：
ユニット内に関数発生機能を搭載しており、油圧シリンダの位置/荷重を正弦波や
三角波加振させることができます。
⑤ 1 チャンネル磁歪センサユニット内蔵：
サーボ位置フィードバック信号として磁歪式変位センサを利用しつつ、最高1μm の
分解能で高精度位置決めシステムを構成することができます。
また、センサ位置に比例したデータをシーケンサCPU から読み込むことができます。
適合磁歪式位置センサ： GYcRS/ GYFRS/ GYMR6/ GYKMR/ GYcRP/ GYSE-R
⑥ 2 チャンネルアナログ電圧/電流入力：
アナログ電圧/電流入力を2 チャンネル搭載。
ロードセルや圧力センサを利用してのに制御にも対応します。
入力された電圧/電流に比例したデータをシーケンサCPU から読み込むことができます。
⑦ 外部フィードバック信号入力：
他のユニットから得られたデータを、バッファメモリを介してサーボ軸にフィードバック
信号として与えることが可能です。
⑧ 制御軸切り替え機能
SSI センサ/アナログ/外部フィードバック信号の中から、2 つの制御軸をお選びいただき、
Y 出力によって制御を切り替えることができます。
⑨ アラーム検出機能（下記のアラームを検知します。）
・センサ上下限リミット
・サーボ偏差アラーム
・サーボ発振アラーム
・パラメータ設定値範囲アラーム
⑩ 自己診断機能（下記の異常を検知します。）
・内部ハードウェア異常
・センサ未接続（断線）
・センサマグネット異常
・センサデータ保存異常
・外部電源喪失異常
HS-R-Gx用 プロファイルデータ（日本語版）
HS-R-Gx用 プロファイルデータ（英語版）
設定ソフト：I-SAC_Terminal_Q （ダウンロードはこちらから）
- サーボ位置のフィードバック信号を、磁歪式変位センサを利用したい方
- MELSEC iQ-R をお使いの方で、省配線をお考えの方
- 特長・機能
- 仕様
- 同カテゴリ製品との比較
製品の特長
三菱電機㈱殿製シーケンサ MELSEC iQ-R にビルトイン
MELSEC iQ-R シリーズ用の油圧/空圧位置決めサーボ および 磁歪式センサ変換器ユニットです。
油空圧サーボ位置決め/荷重制御
HS-R を利用した油空圧サーボ位置決め/荷重制御は、フィードバック信号は、
すべてHS-Rへと直接入力することができますので、省配線省スペースで高速な
制御を行えます。
また、すべてアブソリュートセンサで構成されますので、電源起動時の
原点出し操作は不要です。
性能
仕様
| サーボ出力軸数 | 1軸（内部2軸） | サーボ演算サイクル | 0.2msec | |
|---|---|---|---|---|
| サーボ出力 | 電圧出力設定時：電圧（±10V 最大） （外部負荷抵抗 1kΩ以上） 電流出力設定時：電流（±50mA 最大） 外部負荷抵抗 50Ω Max.@50mA * |
サーボ機能 （出力分解能） |
-30000~30000（フルスケールに対して） | |
| 磁歪センサ 接続数 | 1軸 | 磁歪センサ適合 | G1：GYcRS/ GYFRS/ GYMR6 /GYKMR G2: GYcRP G4: GYSE-R (その他の接続についてはお問い合わせください) |
|
| 位置検出方式 | アブソリュート磁歪方式 | 最高分解能 | G1/ G4：0.001mm G2：0.01mm |
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| 最大ケーブル長 | G1/ G2/ G4：200ｍ | サンプリング周期 | センサプローブのストロークに依存 1～1000mm：1msec * |
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| アナログ入力信号 | 電圧入力設定時：電圧（±10V） 電流入力設定時：電流（±20mA）（240Ω終端） |
アナログ入力 分解能 | -30000~30000（フルスケールに対して） | |
| アナログ入出力電源 | DC24V（±10%）2.5W最大 極性保護有 | I/O 占有点数 | 32点 | |
| 使用温度範囲 | 0~55℃ | 保存温度範囲 | -25~75℃ |
*：詳細については、取扱説明書を参照ください。
型式
①適合磁歪式位置センサ
G1：GYcRS/ GYFRS/ GYMR6/ GYKMR
G2：GYcRP
G4：GYSE-R
外形寸法図
| 外形寸法図 | センサコネクタ（丸形コネクタ） | アナログコネクタ端子配列表 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
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サーボコントローラ
| 製品名 | 位置検出方式 | 直結センサ | 指令（上位） | サーボサイクル | サーボ出力 | 出力分解能 | アナログ入力 | アナログ分解能 |
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三菱電機㈱殿 MELSECビルトイン ユニット
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| MELSEC-Q ビルトイン |
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